통행 분말 슬롯

선호도에 따라 다양한 세분성을 수용 할 수 있습니다
아연 기반 슬롯는 DC 바이어스 및 온도로 BT 처리 중에 표면 전하 밀도가 거의 변하지 않기 때문에 매우 신뢰할 수있는 장치를 가지고 있습니다. 납 기반 슬롯는 우수한 화학적 내구성을 가지며 니켈 도금을 사용하여 전극을 형성하는 트랜지스터, 사이리스터, 다이오드 등에 사용됩니다.
특성
특성/유리 코드 | GP-014 | GP-031 | GP-5210 | GP-180 | GP-190 | GP-200 | GP-230 | ||
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곡물 크기*1 | 350 | 350 | 350 | S | S | S | S | ||
열 확장 계수 | 30-300 ℃ | × 10-7/k | 43 | 36 | 33 | 44.5 | 43.5 | 44 | 41.5 |
전환 지점 | ℃ | 550 | 535 | 550 | 590 | 620 | 595 | 610 | |
Softing Point | ℃ | 650 | 635 | 635 | 775 | 810 | 780 | 830 | |
밀도 | × 103kg/m3 | 3.78 | 3.93 | 3.84 | 3.87 | 3.81 | 3.78 | 3.58 | |
알칼리성 함량 | NA2O | PPM | ≦ 20 | ≦ 20 | ≦ 20 | ≦ 30 | ≦ 30 | ≦ 30 | ≦ 30 |
K2O | PPM | ≦ 10 | ≦ 10 | ≦ 10 | ≦ 10 | ≦ 10 | ≦ 10 | ≦ 10 | |
li2O | PPM | ≦ 5 | ≦ 5 | ≦ 10 | ≦ 10 | ≦ 10 | ≦ 10 | ≦ 10 | |
적용 가능 (역압 저항 레벨)*2 | 저압 | 저압 | 고압 | 중간 압력 | 중간 압력 | 중간 압력 | 중간 압력 | ||
표면 전하 밀도*3 | × 1011/cm2 | 0 ~+1 | 0 ~+1 | +6 ~+7 | +7 ~+8 | +15 ~+16 | +6 ~+7 | +7 ~+8 | |
구성 시스템 | Zno ・ b2O3・ sio2 | Zno ・ b2O3・ sio2・ PBO | PBO ・ SIO2・ al2O3 |
특성/유리 코드 | GP-605 | GP-620 | GP-350 | GP-370 | GP-380 | GP-390 | ||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
곡물 크기*1 | S | S | S | S | S | S | ||
열 확장 계수 | 30-300 ℃ | × 10-7/k | 44 | 43 | 46.5 | 42.0 | 44.5 | 43 |
전환 지점 | ℃ | 590 | 620 | 470 | 475 | 535 | 540 | |
Softing Point | ℃ | 790 | 810 | 645 | 680 | 740 | 740 | |
밀도 | × 103kg/m3 | 3.84 | 3.76 | 3.53 | 3.32 | 3.61 | 3.54 | |
알칼리성 함량 | NA2O | PPM | ≦ 30 | ≦ 30 | ≦ 30 | ≦ 30 | ≦ 30 | ≦ 30 |
K2O | PPM | ≦ 10 | ≦ 10 | ≦ 30 | ≦ 10 | ≦ 10 | ≦ 10 | |
li2O | PPM | ≦ 10 | ≦ 10 | ≦ 10 | ≦ 10 | ≦ 10 | ≦ 10 | |
적용 가능 (역압 저항 레벨)*2 | 고압 | 고압 | 저압 | 중간 압력 | 중간 압력 | Hokupus | ||
표면 전하 밀도*3 | × 1011/cm2 | +11 ~ +12 | +14 ~+15 | +2 ~+3 | +5 ~+6 | +6 ~+7 | +14 ~+15 | |
구성 시스템 | PBO ・ SIO2・ al2O3 | PBO ・ B2O3・ sio2・ al2O3 |
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: 350 : Dmax 44µm, D50 16µm, S : Dmax 44µm, D50 7.5µm
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